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国惠光电申请InGaAs短波红外探测器制备方法专利,提高红外探测器的性能

2026年08月19日 13:56
 

国家知识产权局信息显示,山西国惠光电科技有限公司申请一项名为“一种InGaAs短波红外探测器的制备方法”的专利,公开号CN122161189A,申请日期为2026年3月。

专利摘要显示,本发明属于InGaAs红外焦平面探测器技术领域,具体提供了一种InGaAs短波红外探测器的制备方法。在生长完下电极的InGaAs外延片上先进行初次研磨抛光,得到平整的镜面,然后生长铟柱,划片解理成独立的PDA芯片;与对应的读出电路进行倒装互连;将倒装焊好的芯片再次进行减薄抛光,在PDA芯片端生长抗反射涂层ARC,提高探测器的量子效率。采用本发明所述方法制备的红外探测器既可以很大程度地减少芯片表面划痕及其他的污染,同时又提高红外探测器的性能。

天眼查资料显示,山西国惠光电科技有限公司,成立于2011年,位于太原市,是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析,山西国惠光电科技有限公司共对外投资了2家企业,参与招投标项目42次,财产线索方面有商标信息2条,专利信息27条,此外企业还拥有行政许可2个。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。