国家知识产权局信息显示，台亚半导体股份有限公司申请一项名为“光电二极管及其制造方法”的专利，公开号CN121908670A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本发明提供一种光电二极管及其制造方法，其中，光电二极管的制造方法包含以下步骤：提供晶圆，所述晶圆具有多个光电二极管结构；在晶圆上贴附保护膜；切割保护膜和晶圆，使保护膜和晶圆上形成多个切割道以分离多个光电二极管结构中的每个；在保护膜上涂布遮光溶液，使遮光溶液覆盖多个切割道中的每个；以及固化遮光溶液，以形成完整覆盖多个光电二极管结构中的每个侧壁的遮光侧壁，以阻挡任何光线穿透侧壁。

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